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1 punch-through diode
Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > punch-through diode
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2 диод на эффекте прокола базы
Русско-английский словарь по микроэлектронике > диод на эффекте прокола базы
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3 диод на эффекте прокола базы
1) Microelectronics: punch-through diode2) Makarov: punch-through diode (транзистора)Универсальный русско-английский словарь > диод на эффекте прокола базы
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4 диод на эффекте смыкания
Electronics: punch-through diodeУниверсальный русско-английский словарь > диод на эффекте смыкания
См. также в других словарях:
TRAPATT-Diode — Die TRAPATT Diode (englisch trapped plasma avalanche triggert transit) ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Sie ist ein Bauteil mit hoher Leistung und hohem… … Deutsch Wikipedia
Key punch — A key punch is a device for entering data into punched cards by precisely punching holes at locations designated by the keys struck by the operator. Early keypunches were manual devices. Later keypunches were mechanized, often resembled a small… … Wikipedia
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated Gate Bipolar Transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Insulated gate bipolar transistor — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire a grille isolee — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
Transistor bipolaire à grille isolée — Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement … Wikipédia en Français
integrated circuit — Electronics. a circuit of transistors, resistors, and capacitors constructed on a single semiconductor wafer or chip, in which the components are interconnected to perform a given function. Abbr.: IC Also called microcircuit. [1955 60] * * * ▪… … Universalium
Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode — Schaltzeichen eines IGBT Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (engl. insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des… … Deutsch Wikipedia